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超高密度離線電源解決方案降低損耗
超高密度離線電源解決方案降低損耗
在傳統(tǒng)的 PFC 電路中，整流橋二極管在 240 W 電源中的損耗約為 4 W，約占總損耗的 20%。PFC 級的效率通常為 97%，LLC 電路實現(xiàn)了類似的性能。
然而，新的 NCP1680 臨界導通模式 (CrM) 圖騰柱 PFC 控制器解決方案專為超高密度離線電源設計，可以在“圖騰柱”配置中用開關代替有損二極管，并引入升壓 PFC 功能以減少橋損耗，顯著提高整體效率。此外，NCP1680 可以適應任何開關類型，無論是超結硅 MOSFET 還是寬帶隙開關，如碳化硅 (SiC) 或氮化鎵 (GaN) 器件。
新的 NCP1680 CrM 圖騰柱 PFC 控制器采用新穎的電流限制架構和線路相位檢測，同時結合了經(jīng)過驗證的控制算法，可在不影響性能的情況下提供具有成本效益的圖騰柱 PFC 解決方案。該 IC 的核心是內部補償數(shù)字環(huán)路控制。該創(chuàng)新器件采用具有谷值開關的恒定導通時間 CrM 架構。由于內置的非連續(xù)傳導模式 (DCM) 在頻率折返操作期間具有谷值同步開啟，因此也可以滿足現(xiàn)代效率標準，包括那些需要在輕負載下具有高效率的標準。
這種高度集成的設備可以支持電信 5G、工業(yè)和高性能計算的電源設計，在通用電源 (90 – 265 Vac) 下以高達 350 W 的推薦功率水平運行。在 230 Vac 電源輸入下，PFC 電路基于NCP1680 在 300 W 時可實現(xiàn)接近 99% 的效率。此外，通過減少組件數(shù)量，無需霍爾效應傳感器即可實現(xiàn)逐周期電流限制。
根據(jù)為圖騰柱快速支路選擇的開關技術，NCP1680 可與 NCP51820 半橋 GaN HEMT 柵極驅動器或 NCP51561 隔離式 SiC MOSFET 柵極驅動器一起使用，后者是具有 4.5 A 源的隔離式雙通道柵極驅動器和 9 A 吸收峰值電流能力。新器件適用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速開關，提供短且匹配的傳播延遲。兩個獨立的 5 kVRMS（UL1577 級）電隔離柵極驅動器通道可用作兩個低側、兩個高側開關或具有可編程死區(qū)時間的半橋驅動器。啟用引腳將同時關閉兩個輸出，并且 NCP51561 提供其他重要的保護功能，例如用于兩個柵極驅動器和啟用功能的獨立欠壓鎖定 (UVLO)。