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使用內核耦合內存將STM32微控制器的速度提高
當處理具有計算密集型例程和（或）接近實時性能要求的項目時，擁有“閃電般的” RAM通常對于開發人員而言是一件好事。這是STMicro在其STM32微控制器系列中包含大量內核耦合內存（CCM）RAM的原因之一。
核心耦合內存（CCM）具有高性能和零等待狀態，允許在從閃存中運行固件所需時間的一小部分時間內執行指令。根據意法半導體， 它被包含在微控制器中，用于涉及“實時和計算密集型例程[包括]數字電源轉換控制回路（開關模式電源，照明），面向現場的三相電動機控制，[和]實時DSP（數字信號處理）”。
對于開發人員如何使用CCM的演示，開發人員使用了STM32F303CC開發板，它具有256kB的閃存，40kB的靜態RAM（SRAM）和8kB的核心耦合內存（CCM）RAM。對于固件，他采用了LZ4壓縮算法作為基準，并采用了允許在閃存SRAM和CCM RAM上執行的自定義CMake。在閃存，SRAM和CCM上以不同的時鐘速度執行LZ4壓縮算法。在默認的板時鐘速度為72MHz且塊大小為8k的情況下，從閃存執行LZ4算法的時間為279到304毫秒。移至SRAM可使運行時間進一步縮短至251ms，但切換至CCM則將其進一步降低至172ms。為了進一步測試這些限制，工程師對設備進行了超頻，使其時鐘速度為128MHz，并再次測試了所有三個存儲器的性能。在新的時鐘速度下，塊大小與以前相同，在CCM上為97ms。